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GaN功率器件


MB51T008A                                                                                点此索要资料和样品>>
漏源击穿电压 V(BR)DSS 150V
栅极阈值电压 VGS(th) 1.8V
漏源通态电阻 RDS(on) 13mΩ
总栅极电荷 Qg 16nC
封装 WLCSP